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综述介绍

BSZ076N06NS3 G

BSZ076N06NS3 G

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是英飞凌科技公司的BSZ076N06NS3 G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：消费电子/智能家居与黑白家电/冰箱/冰柜/Compressor & Fan Control/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.6 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 35µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：50nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4000pF @ 30V
功率-最大值：69W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

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