IPI040N06N3 G
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPI040N06N3 G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):60V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
消费电子/智能家居与黑白家电/烘干机/Power Management/
- 主要规格参数:
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- 包装:管件
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):90A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4 毫欧 @ 90A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 90µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):98nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):11000pF @ 30V
- 功率-最大值:188W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:PG-TO262-3