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综述介绍

NCP5181DR2G

NCP5181DR2G

发布时间：2015-08-16

简介：

本文是安森美半导体公司的NCP5181DR2G的数据表，它是属于集成电路（IC） PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；配置：半桥；输入类型：非反相；延迟时间：100ns；电流-峰值：1.4A；

厂商：安森美半导体公司
类别：消费电子/智能家居与黑白家电/空调/风扇/drive/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
配置：半桥
输入类型：非反相
延迟时间：100ns
电流-峰值：1.4A
配置数：1
输出数：2
高压侧电压-最大值（自举）：600V
电压-电源：10 V ~ 20 V
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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