2SK545-11D-TB-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的2SK545-11D-TB-E的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：N 沟道；漏源极电压（Vdss）：40V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：60µA @ 10V；漏极电流（Id）-最大值：1mA；

厂商：安森美半导体公司
类别：消费电子/智能家居与黑白家电/烹饪电器/Sensor Interface / Signal Conditioning/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：-
漏源极电压（Vdss）：40V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：60µA @ 10V
漏极电流（Id）-最大值：1mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1.5V @ 1µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1.7pF @ 10V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-CP
功率-最大值：125mW