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综述介绍

2SJ652-RA11

2SJ652-RA11

发布时间：2015-08-23

简介：

本文是安森美半导体公司的2SJ652-RA11的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：28A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：消费电子/智能家居与黑白家电/烹饪电器/drive/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：28A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：38 毫欧 @ 14A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：80nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4360pF @ 20V
功率-最大值：2W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220ML

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