STD25NF10LT4
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是意法半导体公司的STD25NF10LT4的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:STripFET™ II;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):100V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
消费电子/智能家居与黑白家电/小家电/motor control/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:STripFET™ II
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):100V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):25A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):35 毫欧 @ 12.5A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):52nC @ 5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1710pF @ 25V
- 功率-最大值:100W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:D-Pak