STB60NF06LT4
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是意法半导体公司的STB60NF06LT4的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:STripFET™ II;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
消费电子/智能家居与黑白家电/小家电/motor control/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:STripFET™ II
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):60A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):14 毫欧 @ 30A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):66nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2000pF @ 25V
- 功率-最大值:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK