N0600N-S17-AY
发布时间:2015-08-23
简介:
本文是瑞萨电子美国公司的N0600N-S17-AY的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A(Ta);
- 厂商:瑞萨电子美国公司
- 类别:
消费电子/智能家居与黑白家电/其它家电/MOSFET_Inverter/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):36 毫欧 @ 15A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):29.8nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1380pF @ 10V
- 功率-最大值:2W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 隔离片
- 供应商器件封装:TO-220