UPA2670T1R-E2-AX

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的UPA2670T1R-E2-AX的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 P 沟道（双）；FET功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：消费电子/智能家居与黑白家电/其它家电/MOSFET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：79 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：473pF @ 10V
功率-最大值：2.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-HUSON（2x2）

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