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BSC027N04LS G

BSC027N04LS G

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSC027N04LS G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):40V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 消费电子/智能家居与黑白家电/其它家电/Motor Control/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):40V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):24A(Ta),100A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):2.7 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 49µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):85nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):6800pF @ 20V
  • 功率-最大值:83W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
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