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IPD053N06N3 G

IPD053N06N3 G

发布时间：2015-08-23
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPD053N06N3 G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 消费电子/智能家居与黑白家电/其它家电/Motor Control/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：OptiMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：60V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：90A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.3 毫欧 @ 90A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 58µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：82nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：6600pF @ 30V
  • 功率-最大值：115W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
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