NTMS4920NR2G
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是安森美半导体公司的NTMS4920NR2G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):10.6A(Ta);
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/battery charger/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):10.6A(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4.3 毫欧 @ 7.5A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):58.9nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):4068pF @ 25V
- 功率-最大值:820mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC N