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BSC060P03NS3E G

BSC060P03NS3E G

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSC060P03NS3E G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET P 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/OptiMOS/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):17.7A(Ta),100A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):6 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.9V @ 150µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):81nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):6020pF @ 15V
  • 功率-最大值:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8
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