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SPD04P10PL G

SPD04P10PL G

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是英飞凌科技公司的SPD04P10PL G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：SIPMOS®；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/OptiMOS/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：SIPMOS®
  • FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.2A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：850 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 380µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：16nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：372pF @ 25V
  • 功率-最大值：38W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
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