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SPP15P10P H

SPP15P10P H

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是英飞凌科技公司的SPP15P10P H的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：SIPMOS®；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/OptiMOS/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：SIPMOS®
  • FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：15A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：240 毫欧 @ 10.6A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 1.54mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：48nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1280pF @ 25V
  • 功率-最大值：128W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：PG-TO220-3
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