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IPB029N06N3 G E8187

IPB029N06N3 G E8187

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是英飞凌科技公司的IPB029N06N3 G E8187的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):60V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/OptiMOS/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR)
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):120A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3.2 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 118µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):165nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):13000pF @ 30V
  • 功率-最大值:188W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-3
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