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BSD816SN L6327

BSD816SN L6327

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSD816SN L6327的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):20V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/Miscellaneous/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):20V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.4A(Ta)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):160 毫欧 @ 1.4A,2.5V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 2.5V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):180pF @ 10V
  • 功率-最大值:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:PG-SOT363-6
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