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综述介绍

BSP125 L6327

BSP125 L6327

发布时间：2015-08-23

简介：

本文是英飞凌科技公司的BSP125 L6327的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：SIPMOS®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：600V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/Miscellaneous/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：SIPMOS®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：45 欧姆 @ 120mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 94µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：150pF @ 25V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：PG-SOT223-4

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