BSS138N E7854
发布时间:2015-08-23
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSS138N E7854的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:SIPMOS®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/Miscellaneous/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR)
- 系列:SIPMOS®
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):60V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):230mA(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3.5 欧姆 @ 230mA,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):41pF @ 25V
- 功率-最大值:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:PG-SOT23-3