BSP125 L6433
发布时间:2015-08-23
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSP125 L6433的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:SIPMOS®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):600V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/Miscellaneous/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:SIPMOS®
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):600V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):120mA(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6.6nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):150pF @ 25V
- 功率-最大值:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:PG-SOT223-4