BSL205N L6327
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSL205N L6327的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):20V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/电脑/Miscellaneous/
- 主要规格参数:
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- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.5A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V
- 功率-最大值:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-74,SOT-457
- 供应商器件封装:PG-TSOP6-6