STL51N3LLH5
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是意法半导体公司的STL51N3LLH5的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:STripFET™ V;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/设备电源/high voltage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:STripFET™ V
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):51A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):14.5 毫欧 @ 6.3A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):724pF @ 25V
- 功率-最大值:62.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat™(5x6)