STD9NM60N
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是意法半导体公司的STD9NM60N的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:MDmesh™ II;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):600V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/设备电源/high voltage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:MDmesh™ II
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):600V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.5A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):745 毫欧 @ 3.25A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17.4nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):452pF @ 50V
- 功率-最大值:70W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:D-Pak