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综述介绍

STR2N2VH5

STR2N2VH5

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是意法半导体公司的STR2N2VH5的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：STripFET™ V；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：20V；

厂商：意法半导体公司
类别：消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/设备电源/high voltage/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：STripFET™ V
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：30 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：700mV @ 250µA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：4.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：367pF @ 16V
功率-最大值：350mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23

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