STD96N3LLH6
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是意法半导体公司的STD96N3LLH6的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:DeepGATE™,STripFET™ VI;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/设备电源/high voltage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):80A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4.2 毫欧 @ 40A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):20nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V
- 功率-最大值:70W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:DPAK-3