STE88N65M5
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是意法半导体公司的STE88N65M5的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 模块。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:MDmesh™ V;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):650V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/设备电源/high voltage/
- 主要规格参数:
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- 包装:管件
- 系列:MDmesh™ V
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):650V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):88A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):29 毫欧 @ 42A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):204nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):8825pF @ 100V
- 功率-最大值:494W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:ISOTOP
- 供应商器件封装:ISOTOP