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STL18N60M2

STL18N60M2

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是意法半导体公司的STL18N60M2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：MDmesh™ II Plus；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 消费电子/PC/笔记本电脑与平板电脑/设备电源/mosfets/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：MDmesh™ II Plus
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：600V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：308 毫欧 @ 4.5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：21.5nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：791pF @ 100V
  • 功率-最大值：57W
  • 安装类型：*
  • 封装/外壳：4-PowerFlat™ HV
  • 供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）
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