NTD4965N-35G

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的NTD4965N-35G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13A（Ta），68A（Tc）；

厂商：安森美半导体公司
类别：消费电子/手机设备与其它移动设备/其它移动设备/Vcore power/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13A（Ta），68A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.7 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：17.2nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1710pF @ 15V
功率-最大值：1.39W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak
供应商器件封装：I-Pak

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