EFC6602R-TR
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的EFC6602R-TR的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动;不同Vgs时的栅极电荷(Qg):55nC @ 4.5V;功率-最大值:2W;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
消费电子/手机设备与其它移动设备/其它移动设备/battery charger/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
- 漏源极电压(Vdss):-
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):-
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):-
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):55nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):-
- 功率-最大值:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-XFBGA
- 供应商器件封装:6-EFCP(2.7x1.81)