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EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的EFC6602R-A-TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：55nC @ 4.5V；功率-最大值：2W；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 消费电子/手机设备与其它移动设备/其它移动设备/battery charger/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源极电压（Vdss）：-
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：55nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
  • 功率-最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-XFBGA
  • 供应商器件封装：6-EFCP（2.7x1.81）

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