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综述介绍

MM3Z5V6T1G

MM3Z5V6T1G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的MM3Z5V6T1G的数据表，它是属于分立半导体产品单二极管/齐纳。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；电压-齐纳（标称值）（Vz）：5.6V；容差：±7%；功率-最大值：300mW；阻抗（最大值）（Zzt）：40 欧姆；

厂商：安森美半导体公司
类别：消费电子/手机设备与其它移动设备/智能电话/ESD / EMI protection/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
电压-齐纳（标称值）（Vz）：5.6V
容差：±7%
功率-最大值：300mW
阻抗（最大值）（Zzt）：40 欧姆
不同Vr时的电流-反向漏电流：1µA @ 2V
不同If时的电压-正向（Vf）：900mV @ 10mA
工作温度：-65°C ~ 150°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-76，SOD-323
供应商器件封装：SOD-323

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