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综述介绍

EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的EFC6602R-TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：55nC @ 4.5V；功率-最大值：2W；

厂商：安森美半导体公司
类别：消费电子/手机设备与其它移动设备/智能电话/battery charger/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：-
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：55nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-XFBGA
供应商器件封装：6-EFCP（2.7x1.81）

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