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NTLUS3C18PZTBG

NTLUS3C18PZTBG

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是安森美半导体公司的NTLUS3C18PZTBG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：12V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.4A（Ta）；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 消费电子/手机设备与其它移动设备/智能电话/Wireless charging/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：12V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.4A（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：24 毫欧 @ 7A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15.8nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1570pF @ 6V
  • 功率-最大值：660mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-PowerWFDFN
  • 供应商器件封装：6-UDFN（1.6x1.6）
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