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综述介绍

NTLUS4C12NTBG

NTLUS4C12NTBG

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的NTLUS4C12NTBG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.8A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：消费电子/手机设备与其它移动设备/智能电话/Power Protection/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.8A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9 毫欧 @ 9A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：18nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1172pF @ 15V
功率-最大值：630mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-UDFN（2x2）

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