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NTR5105PT1G

NTR5105PT1G

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是安森美半导体公司的NTR5105PT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：196mA（Ta）；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 计算机/服务器/USB Interface/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：60V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：196mA（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5 欧姆 @ 100mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：30.3pF @ 25V
  • 功率-最大值：347mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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