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综述介绍

NTP8G206NG

NTP8G206NG

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的NTP8G206NG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：17A（Tc）；

厂商：安森美半导体公司
类别：计算机/服务器/Power factor correction (PFC)/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：17A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：180 毫欧 @ 11A，8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 500µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：760pF @ 480V
功率-最大值：96W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3

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