NTTFS3A08PZTWG
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是安森美半导体公司的NTTFS3A08PZTWG的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:MOSFET P 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):20V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):9A(Ta);
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
计算机/服务器/Power factor correction (PFC)/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):9A(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):6.7 毫欧 @ 12A,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):56nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):5000pF @ 10V
- 功率-最大值:840mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- 供应商器件封装:8-WDFN(3x3)