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SQ2308CES-T1-GE3

SQ2308CES-T1-GE3

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是威世硅尼克斯的SQ2308CES-T1-GE3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);系列:自动,AEC-Q101,TrenchFET®;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;


  • 厂商:威世硅尼克斯
  • 类别: 汽车电子/信息娱乐和仪表盘/主机板与仪表盘/Load Driver/
  • 主要规格参数:
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  • 包装:带卷(TR)
  • 系列:自动,AEC-Q101,TrenchFET®
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.3A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):150 毫欧 @ 2.3A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5.3nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):205pF @ 30V
  • 功率-最大值:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
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