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SQJ940EP-T1-GE3

SQJ940EP-T1-GE3

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是威世硅尼克斯的SQJ940EP-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：TrenchFET®；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 汽车电子/信息娱乐和仪表盘/主机板与仪表盘/Load Driver/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：TrenchFET®
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：15A，18A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：16 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 20V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：896pF @ 20V
  • 功率-最大值：48W，43W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK® SO-8 双
  • 供应商器件封装：PowerPAK® SO-8 双通道不对称
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