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BSC750N10ND G

BSC750N10ND G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是英飞凌科技公司的BSC750N10ND G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：OptiMOS™；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 汽车电子/信息娱乐和仪表盘/主机板与仪表盘/Load Driver/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：OptiMOS™
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.2A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：75 毫欧 @ 13A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 12µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：11nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：720pF @ 50V
  • 功率-最大值：26W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
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