CSD17313Q2Q1
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是德州仪器的CSD17313Q2Q1的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:自动,AEC-Q100,NexFET™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:德州仪器
- 类别:
汽车电子/信息娱乐和仪表盘/主机板与仪表盘/Load Driver/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:自动,AEC-Q100,NexFET™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):5A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):30 毫欧 @ 4A,8V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):2.7nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):340pF @ 15V
- 功率-最大值:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-SON(2x2)