CSD87350Q5D
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是德州仪器的CSD87350Q5D的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:NexFET™;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:德州仪器
- 类别:
计算机/以太网交换机/ASIC Core Power FET/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:NexFET™
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):5.9 毫欧 @ 20A,8V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):10.9nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1770pF @ 15V
- 功率-最大值:12W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-LDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-LSON(5x6)