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STS3P6F6

STS3P6F6

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是意法半导体公司的STS3P6F6的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：DeepGATE™，STripFET™ VI；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 智能家居与智能楼宇/楼宇自动化/楼宇能源管理系统/inducer blower control/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：DeepGATE™，STripFET™ VI
  • FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：60V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：160 毫欧 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.4nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：340pF @ 48V
  • 功率-最大值：2.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
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