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BSZ067N06LS3 G

BSZ067N06LS3 G

发布时间:2015-08-21
简介:

本文是英飞凌科技公司的BSZ067N06LS3 G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):60V;


  • 厂商:英飞凌科技公司
  • 类别: 智能家居与智能楼宇/楼宇自动化/楼宇能源管理系统/3-Phase Inverter/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:OptiMOS™
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):14A(Ta),20A(Tc)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):6.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):67nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):5100pF @ 30V
  • 功率-最大值:69W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
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