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BSS87E6327T

BSS87E6327T

发布时间：2015-08-23
简介：

本文是英飞凌科技公司的BSS87E6327T的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：SIPMOS®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：240V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 智能家居与智能楼宇/楼宇自动化/楼宇能源管理系统/3-Phase Inverter/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：SIPMOS®
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：240V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：260mA（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6 欧姆 @ 260mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 108µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.5nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：97pF @ 25V
  • 功率-最大值：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-243AA
  • 供应商器件封装：P-SOT89-4
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