BSO220N03MD G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是英飞凌科技公司的BSO220N03MD G的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:OptiMOS™;FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
智能家居与智能楼宇/楼宇自动化/楼宇能源管理系统/3-Phase Inverter/
- 主要规格参数:
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- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:OptiMOS™
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):22 毫欧 @ 7.7A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):800pF @ 15V
- 功率-最大值:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:PG-DSO-8