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综述介绍

IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4C6ATMA1

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是英飞凌科技公司的IPD60R1K4C6ATMA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：CoolMOS™ C6；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：智能家居与智能楼宇/楼宇自动化/访问控制与安全/3-Phase Inverter/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：CoolMOS™ C6
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.2A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.4 欧姆 @ 1.1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 90µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：200pF @ 100V
功率-最大值：28.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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