UPA2812T1L-E2-AT

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的UPA2812T1L-E2-AT的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30A（Tc）；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：智能家居与智能楼宇/楼宇自动化/视频监控/Power MOSFET for Switching/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：4.8 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：100nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3740pF @ 10V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-HWSON（3.3x3.3）

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