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MMBZ33VAWT1G

MMBZ33VAWT1G

发布时间：2015-08-27
简介：

本文是安森美半导体公司的MMBZ33VAWT1G的数据表，它是属于电路保护 TVS - 二极管。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；类型：齐纳；单向通道：2；电压-反向关态（典型值）：26V；电压-击穿（最小值）：31.35V；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 汽车电子/信息娱乐和仪表盘/音响系统和显示系统/Input / output protection/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • 类型：齐纳
  • 单向通道：2
  • 双向通道：-
  • 电压-反向关态（典型值）：26V
  • 电压-击穿（最小值）：31.35V
  • 电压-箝位（最大值）@Ipp：46V
  • 电流-峰值脉冲（10/1000µs）：870mA
  • 功率-峰值脉冲：40W
  • 电源线路保护：无
  • 应用：通用
  • 不同频率时的电容：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-70，SOT-323
  • 供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）
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