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综述介绍

NVLJD4007NZTBG

NVLJD4007NZTBG

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NVLJD4007NZTBG的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：245mA；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/信息娱乐和仪表盘/音响系统和显示系统/Input / output protection/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：245mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7 欧姆 @ 125mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：0.75nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：20pF @ 5V
功率-最大值：755mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）

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